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Módulo del transistor de IGBT

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Anchura estable 4.9m m del poder más elevado del módulo BUP314D del transistor de Infineon IGBT

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1200V multiusos NPT IGBT, transistor de FGL40N120AND Fairchild

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Módulo de alta velocidad LKW40N120H3 práctico del transistor de Infineon IGBT

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Tranzistor multifuncional IGBT Infineon IKP20N60T 10x9.25x4.4m m

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Poder más elevado del módulo del transistor de FP150R07N3E4_B11 IGBT práctico

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Canal N IGBT, diodo paralelo anti de la serie 43A 1200V del NPT de HGTG11N120CND Hyperfast

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Módulo GT60M303 multiusos del transistor del canal N IGBT del silicio

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Transistor bipolar aislado durable IRG4PH50UD multiusos de la puerta

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Módulo de alta velocidad IXGH48N60C3D1 del transistor de IGBT para la transferencia 40-100kHz

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parada de campo del foso de 600V 60A IGBT, serie STGWT60V60DF de alta velocidad de V

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Efecto de campo del canal N del MOSFET del módulo del transistor de STGH20N50FI IGBT

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Transistor IGBT bipolar, TO-220 transistor de IRG4IBC30S 1.7V del canal N IGBT

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módulo FGA25N120ANT FGA25N120ANTD del transistor del foso IGBT de 1200V 25A NPT

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BUP403 Siemens aisló el artículo multiusos del transistor de la puerta

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