STB80PF55T4 Transistor IC Chip P Canal MOSFET Alta potencia y eficiencia
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
,MOSFET de canal P de alta potencia
,Chip de circuito integrado de transistores STB80PF55T4
MOSFET de alto rendimiento STB80PF55T4 de canal P para aplicaciones eléctricas
El STMicroelectronics STB80PF55T4 es un MOSFET de alto rendimiento de canal P diseñado para aplicaciones de energía que requieren conmutación eficiente y capacidades de manejo de alta corriente.con una tensión de ruptura de 55 V y una corriente de escape continua de 80 A, este MOSFET ofrece un rendimiento robusto en entornos exigentes. El STB80PF55T4 cuenta con una baja resistencia a la fuente de drenaje (Rds On) de 16 mOhms,reducir al mínimo las pérdidas de energía y mejorar la eficiencia general del sistemaLa configuración de un solo canal lo hace adecuado para varias aplicaciones de conmutación de energía.
55V, 80A, bajo voltaje - ideal para sistemas de alta potencia
Con un rango de voltaje de puerta-fuente de -16V a +16V, este MOSFET proporciona flexibilidad en la conducción del dispositivo y permite una fácil integración en los diseños de circuitos existentes.El funcionamiento del modo de mejora garantiza un comportamiento de conmutación fiable y controladoEste MOSFET está basado en la tecnología de silicio (Si), conocido por su excelente rendimiento y fiabilidad.ofreciendo ventajas de instalación conveniente y ahorro de espacioOperando en un amplio rango de temperatura, desde -55°C hasta +175°C, el STB80PF55T4 es adecuado para ambientes hostiles y puede soportar condiciones de funcionamiento exigentes.
El MOSFET STB80PF55T4 está diseñado para manejar una alta disipación de energía, con una tasa de disipación de energía de 300W. Esto le permite manejar cargas de energía significativas sin comprometer el rendimiento.Con un tiempo de ascenso de 190 ns y tiempo de caída de 80 ns, este MOSFET garantiza características de conmutación rápidas y eficientes, contribuyendo a mejorar el rendimiento del sistema.el STB80PF55T4 ofrece un factor de forma compactoSi usted está trabajando en fuentes de alimentación, control del motor, u otras aplicaciones de alta potencia,el MOSFET de canal P STB80PF55T4 de STMicroelectronics proporciona un manejo de alta potencia, baja resistencia, y conmutación eficiente para sus necesidades de diseño.
Características técnicas
| Características | Especificación |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectrónica |
| Categoría de productos | MOSFET |
| Tecnología | Sí, sí. |
| Estilo de montaje | DSM/SMT |
| Envase / estuche | TO-263-3 (en inglés) |
| Polaridad del transistor | Canal P |
| Número de canales | 1 Canal |
| Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje | de una potencia de 55 V |
| Id - Corriente de drenaje continua | 80 A |
| Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje | 16 mOhms |
| Vgs - Tensión de la fuente de la puerta | -16 V, +16 V |
| Temperatura mínima de funcionamiento | -55 °C |
| Temperatura máxima de funcionamiento | +175°C |
| Pd - Disposición de energía | 300 W |
| Modo de canal | Mejoramiento |
| Serie | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
| Embalaje | Rollo, cinta cortada, Rollo de ratón |
| Configuración | No casado |
| Tiempo de otoño | 80 ns |
| Transconductividad hacia adelante - Min | 32 S |
| Alturas | 4.6 mm |
| Duración | 10.4 mm |
| Es hora de levantarse | 190 ns |