IRFP4668PBF IC MOSFET de canal N 200V 130A 520W Chip de IC electrónico
IRFP4668PBF
,IC MOSFET de canal N
,Chip CI electrónico del MOSFET
Infineon IRFP4668PBF MOSFET de canal N - Alta potencia y eficiencia
El IRFP4668PBF de Infineon es un MOSFET N-Channel de alta potencia diseñado para ofrecer un excelente rendimiento y eficiencia en varias aplicaciones.Pertenece a la serie HEXFET® y es adecuado para su uso como un solo FET en los diseños de circuitosCon una tensión de descarga a la fuente (Vdss) de 200V, este MOSFET puede manejar niveles de alto voltaje, lo que lo hace adecuado para aplicaciones exigentes.Tiene una corriente de drenaje continua (Id) de 130 A a 25 °C (con la temperatura de la caja como referencia), lo que permite capacidades robustas de manejo de energía.
IRFP4668PBF MOSFET de canal N de Infineon - Transistor robusto y de alto rendimiento
El MOSFET IRFP4668PBF presenta una baja resistencia de encendido (Rds On) de 9,7 mOhm a una corriente de drenaje (Id) de 81A y un voltaje de puerta-fuente (Vgs) de 10V.Esta baja resistencia reduce al mínimo las pérdidas de energía y mejora la eficiencia general del sistemaFuncionando con un voltaje de umbral de puerta-fuente (Vgs ((th)) de 5V a una Id de 250μA, este MOSFET requiere un voltaje de accionamiento de hasta 10V para un rendimiento óptimo.Tiene un voltaje máximo de entrada-fuente (Vgs) de ±30VEl MOSFET IRFP4668PBF tiene una carga de puerta (Qg) de 241nC a una tensión de puerta-fuente (Vgs) de 10V.Este parámetro indica la cantidad de carga requerida para encender y apagar el MOSFET de manera eficiente.
Con una capacitancia de entrada (Ciss) de 10,720 pF a un voltaje de drenaje a la fuente (Vds) de 50V, este MOSFET proporciona una carga capacitiva adecuada para los circuitos de conducción.Funcionamiento en un amplio rango de temperatura de -55°C a 175°C (TJ), el IRFP4668PBF puede soportar diferentes condiciones ambientales. Su paquete TO-247-3 permite el montaje a través de agujeros, lo que garantiza conexiones seguras y confiables.El MOSFET de canal N IRFP4668PBF de Infineon es un producto activoCon su alta disipación de energía de 520W (Tc), puede manejar niveles de potencia sustanciales de manera efectiva.
Características técnicas:
| Características | Especificación |
|---|---|
| Fabricante | Infineón |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Tipo de transistor | FET, MOSFET |
| Serie | HEXFET |
| Paquete | El tubo |
| Estado del producto | Actividad |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de desagüe a fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente de drenaje continua (Id) @ 25°C | Se aplicará el método de ensayo. |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 10 V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 81A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 5V @ 250μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 241 nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ± 30 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1020 pF @ 50V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido de carbono. |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | A través del agujero |
| Envase / estuche | TO-247-3 |
| Número del producto de base | Las condiciones de los contratos de trabajo |