funcionamiento potente de IC Chip Mosfet IRFP450 del transistor de 500V 14A
chip CI del transistor 500V
,chip CI del transistor 14A
,IRFP450
Funcionamiento potente con el Mosfet IRFP450
Pros - y - contra de comprar el IRFP450 para sus proyectos de la electrónica
Si usted está buscando un Mosfet potente para aumentar el funcionamiento de sus proyectos de la electrónica, el IRFP450 es una elección excelente. Como un experto de SEO y vendedor experimentado en el campo de la electrónica, puedo atestiguar al de alta calidad y a la confiabilidad de este componente.
Pros:
- Poder más elevado que maneja la capacidad para los proyectos en grande
- En-resistencia baja para el flujo de poder eficiente
- Gama ancha del voltaje de funcionamiento para el uso versátil
- Construcción robusta y durable para el funcionamiento duradero
Contra:
- Necesita el calor apropiado que se hunde para la gestión termal óptima
- No puede ser conveniente para los usos de baja potencia debido a los requisitos de alto voltaje
En conclusión, el IRFP450 es un mejor Mosfet que entrega rendimiento excepcional y confiabilidad. Su dirección del poder más elevado y construcción robusta para tomarle una decisión ideal para los proyectos exigentes de la electrónica. Con el hundimiento del calor y la gestión apropiados del voltaje, este componente puede ayudar a llevar sus proyectos los nuevos niveles de capacidad y de funcionamiento.
Características técnicas:
- Tecnología: Si
- Montaje de estilo: A través del agujero
- Paquete/caso: TO-247-3
- Polaridad del transistor: Canal N
- Número de canales: 1 canal
- Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 500 V
- Identificación - corriente continua del dren: 14 A
- Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 400 mOhms
- Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
- Temperatura de funcionamiento mínima: - 65 C
- Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
- Paladio - disipación de poder: 190 W
- Modo del canal: Aumento
- Serie: IRFP450
- Empaquetado: Tubo
- Marca: STMicroelectronics
- Configuración: Solo
- Tiempo de caída: 30 ns
- Altura: 20,15 milímetros
- Longitud: 15,75 milímetros
- Tipo de producto: MOSFET
- Tiempo de subida: 23 ns