FQPF8N60C - MOSFET del alto rendimiento para los usos de la electrónica

Invierta en componentes confiables y eficientes de la electrónica hoy

FQPF8N60C es un transistor del MOSFET que se ha diseñado para los usos de la electrónica del alto rendimiento. Como vendedor experimentado en el campo de la electrónica, nos sentimos confiados en la recomendación de este componente a los clientes que están buscando componentes confiables y eficientes de la electrónica. Este transistor del MOSFET entrega una en-resistencia baja y una capacidad que cambia rápida que ayude a aumentar la eficacia de sistemas electrónicos. Tiene un voltaje de la dren-fuente de 600V y puede manejar una disipación de poder máxima de 176W.

Por otra parte, facilita el uso de disipadores de calor más pequeños y simplifica la gestión termal de diseños electrónicos. El FQPF8N60C es una solución rentable para los usos que cambian del poder que requieren alto rendimiento y capacidad que cambia rápida. Con su construcción robusta y características eléctricas excelentes, garantiza una operación confiable y eficiente para su sistema electrónico. Invierta en el FQPF8N60C hoy y disfrute de las ventajas de un transistor de alto rendimiento del MOSFET que se garantice para cubrir sus necesidades de la electrónica.

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Características técnicas:

• Tecnología: Si
• Montaje de estilo: A través del agujero
• Paquete/caso: TO-220-3
• Polaridad del transistor: Canal N
• Número de canales: 1 canal
• Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 600 V
• Identificación - corriente continua del dren: 7,5 A
• Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 1,2 ohmios
• Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 30 V, + 30 V
• Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 4 V
• Qg - carga de la puerta: 28 nC
• Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
• Paladio - disipación de poder: 48 W
• Modo del canal: Aumento
• Serie: FQPF8N60C
• Empaquetado: Tubo
• Marca: onsemi/Fairchild
• Configuración: Solo
• Tiempo de caída: 64,5 ns