Rendimiento práctico del chip CI FQP8N60C del transistor del MOSFET alto
Chip CI práctico del transistor
,Transistor IC Chip High Performance
,FQP8N60C
MOSFETs de alto rendimiento de FQP8N60C
Experimente el poder incomparable con el FQP8N60C
El FQP8N60C es un MOSFET de alto rendimiento que entrega poder y el funcionamiento incomparables para una amplia gama de usos electrónicos. Con su punto bajo EN resistencia y capacidad de gran intensidad, este MOSFET se diseña para manejar incluso los requisitos de alimentación más exigentes. En el corazón del FQP8N60C es un diseño único que maximiza eficacia y minimiza la conducción y pérdidas que cambian. Esto traduce a funcionamiento mejorado y a una operación más confiable, incluso bajo condiciones extremas.
Ofreciendo una construcción robusta y materiales de alta calidad, este MOSFET se construye para durar y para soportar ambientes duros. Con su rendimiento excepcional, el FQP8N60C es ir-a la opción para los diseñadores y los ingenieros que miran para optimizar sus sistemas electrónicos. Tan si usted está buscando un MOSFET de alto rendimiento que entregue poder y funcionamiento incomparables, parezca no más futuro que el FQP8N60C.
Total, la descripción de producto se centra en el de alto rendimiento y la confiabilidad de FQP8N60C. Un jefe claro y sucinto atraerá la atención de clientes potenciales y hará que el producto se destaca.
- Tecnología: Si
- Montaje de estilo: A través del agujero
- Paquete/caso: TO-220-3
- Polaridad del transistor: Canal N
- Número de canales: 1 canal
- Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 600 V
- Identificación - corriente continua del dren: 7,5 A
- Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 1,2 ohmios
- Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 30 V, + 30 V
- Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 4 V
- Qg - carga de la puerta: 28 nC
- Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
- Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
- Paladio - disipación de poder: 147 W
- Modo del canal: Aumento
- Serie: FQP8N60C
- Empaquetado: Tubo
- Marca: onsemi/Fairchild
- Configuración: Solo
- Tiempo de caída: 64,5 ns
- Transconductancia delantera - minuto: 8,7 S
- Altura: 16,3 milímetros
- Longitud: 10,67 milímetros
- Tipo de producto: MOSFET
- Tiempo de subida: 60,5 ns