Paquete superficial del soporte 8-SOFL del MOSFET 40V 200A 3.8W 110W del canal N de NTMFS5C430NL
NTMFS5C430NL
,MOSFET del canal N 8-SOFL
,MOSFET superficial del canal N del soporte
Poder para arriba sus dispositivos con los MOSFETs de NTMFS5C430NL
Pérdidas de alto rendimiento y de la bajo-conducción para la electrónica eficiente
¿Usted está buscando un MOSFET confiable y eficiente para sus dispositivos? Parezca no más futuro que el solo N−Channel MOSFET del poder de NTMFS5C430NL. Con su RDS bajo (encendido) y capacitancia baja de la entrada, este MOSFET asegura pérdidas mínimas de la conducción y las pérdidas que cambian para sus impulsiones de alto rendimiento de los convertidores de DC-DC, del motor de DC, el punto de los módulos cargables y otros dispositivos. Con un factor de forma compacto de 5mm*6m m, este MOSFET es potente y ahorro de espacio. Más, es RoHS obediente y puede manejar una temperatura de empalme máxima de 175°C. No establezca para los MOSFETs menos eficientes, poder para arriba sus dispositivos con el NTMFS5C430NL.
|
Número de parte. |
NTMFS5C430NL |
|
Categoría |
MOSFET |
|
Voltaje de Drain−to−Source |
40V |
|
Voltaje de Gate−to−Source |
±20V |
|
Dren continuo RJC actual (TC = 25°C) |
200A |
|
Dren continuo RJC actual (TC = 100°C) |
140A |
|
Disipación de poder RJC (TC = 25°C) |
110W |
|
Disipación de poder RJC (TC = 100°C) |
53W |
|
Dren continuo RJA actual (TA = 25°C) |
38A |
|
Dren continuo RJA actual (TA = 100°C) |
27A |
|
Disipación de poder RJA (TA = 25°C) |
3.8W |
|
Disipación de poder RJA (TA = 100°C) |
1.9W |
|
Corriente pulsada del dren |
900A |
|
Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
−55 a +175°C |
|
Corriente de fuente (diodo del cuerpo) |
120A |