Paquete del Pin TO-220-3 del MOSFET 50V 23A 3 del canal N del transistor BUZ10
Categoría:
chip CI electrónico
En existencia:
En stock
Precio:
negotiable
Especificaciones
Tipo:
MOSFET del canal N del transistor
Tipo del paquete:
TO-220
Marca:
MOSFET N-CH 50V 23A TO-220
Temperatura de funcionamiento:
175°C (TJ)
Montaje del tipo:
A través del agujero
Paquete/caso:
TO-220-3
Tipo del FET:
Canal N
Drene al voltaje de la fuente (Vdss):
50V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:
23A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:
70mOhm @ 14A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:
4V @ 1mA
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:
900pF @ 25V
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Vgs (máximo):
±20V
Disipación de poder máxima:
75000mW
Voltaje de fuente de puerta máximo:
±20V
Voltaje máximo de la fuente del dren:
50V
Corriente continua máxima del dren:
23A
Modo del canal:
Aumento
Categoría:
MOSFET del poder
Resaltar:
MOSFET del canal N del transistor BUZ10
,MOSFET del canal N del transistor 50V
,MOSFET IC del canal N TO-220-3
Introducción
MOSFET del canal N del transistor BUZ10
MOSFET N-CH 50V 23A 3-Pin (3+Tab) TO-220 del transporte
| Categoría | MOSFET del poder |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | N |
| Configuración | Solo |
| Material | Si |
| Corriente continua máxima del dren | 23A |
| Voltaje máximo de la fuente del dren | 50V |
| Voltaje de fuente de puerta máximo | ±20V |
| Temperatura de funcionamiento (°C) | -65 a +175 |
| Disipación de poder máxima | 75000mW |
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Las existencias:
In Stock
Cuota de producción:
1