MOSFET 600 V 47A 417W del canal N de FCH47N60F 47N60F a través del agujero TO-247
FCH47N60F
,MOSFET del canal N de FCH47N60F
,A través del MOSFET del canal N del agujero
MOSFET del alto rendimiento para los usos discretos del semiconductor
Introducción del SuperFET FCH47N6 del onsemi en un paquete TO-247-3
¿Buscar un MOSFET potente y confiable para sus necesidades discretas del semiconductor? Parezca no más futuro que el SuperFET FCH47N6 del onsemi. Diseñado con tecnología punta del MOSFET (óxido de metal), este transistor del canal N entrega un dren impresionante al voltaje de la fuente de 600 V y a una corriente continua del dren de 47A en 25°C.
Con un Rds máximo encendido apenas de 70mOhm y de una carga máxima de la puerta de solamente 270 nC en 10V, el FCH47N6 proporciona eficacia excepcional, mientras que la gama de temperaturas ancha de funcionamiento (- 55°C a 150°C) asegura durabilidad en incluso las condiciones más extremas. Este MOSFET potente es compatible con el montaje del por-agujero y viene en un paquete TO-247-3. No falte hacia fuera en el poder y la confiabilidad impresionantes del SuperFET FCH47N6 para los usos discretos del semiconductor.
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Categoría |
Productos de semiconductor discretos |
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Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
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Paquete |
Tubo |
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Situación de la parte |
Obsoleto |
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Tipo del FET |
Canal N |
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Tecnología |
MOSFET (óxido de metal) |
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss) |
600 V |
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C |
47A (Tc) |
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs |
73mOhm @ 23.5A, 10V |
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @ |
5V @ 250µA |
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs |
270 nC @ 10 V |
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Vgs (máximo) |
±30V |
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds |
8000 PF @ 25 V |
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Característica del FET |
- |
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Disipación de poder (máxima) |
417W (Tc) |
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Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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Montaje del tipo |
A través del agujero |
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Paquete/caso |
TO-247-3 |
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Número bajo del producto |
FCH47 |