Chip CI del MOSFET de N-CH BSC0901NSATMA1, 30V 28A 100A TDSON BSC0901NS
Chip CI del MOSFET de N-CH
,Chip CI del MOSFET BSC0901NSATMA1
,BSC0901NS
Optimice a su gestión del poder con Antminer S9 BSC0901NS OptiMOS
La puerta ultrabaja, MOSFET bajo de la resistencia para el funcionamiento eficaz
Actualice su juego de gestión del poder con Antminer S9 BSC0901NS OptiMOS - la carga ultrabaja de la puerta y de la salida, resistencia baja del en-estado, y el MOSFET especial del comportamiento de la EMI que asegura a la gestión del poder eficaz. Si usted está mirando para optimizar sus tableros del hachís de Antminer, cargadores a bordo, mainboards del ordenador, conversión de DC-DC, VRD/VRM, control de motor, o LED, los adaptadores de OptiMOS con la configuración del semipuente (etapa 5x6 del poder) le tienen cubierto.
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Categoría |
Productos de semiconductor discretos |
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Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
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Paquete |
Cinta y carrete (TR) |
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Situación de la parte |
Activo |
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Tipo del FET |
Canal N |
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Tecnología |
MOSFET (óxido de metal) |
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss) |
30 V |
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C |
28A (TA), 100A (Tc) |
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs |
1.9mOhm @ 30A, 10V |
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @ |
2.2V @ 250µA |
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs |
44 nC @ 10 V |
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Vgs (máximo) |
±20V |
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds |
2800 PF @ 15 V |
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Característica del FET |
- |
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Disipación de poder (máxima) |
2.5W (TA), 69W (Tc) |
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Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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Montaje del tipo |
Soporte superficial |
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Paquete/caso |
8-PowerTDFN |
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Número bajo del producto |
BSC0901 |