Pieza de recambio de alto voltaje del MOSFET PTD de 48N60DM2 STWA48N60DM2 para la fuente de alimentación de la fuente de alimentación
STWA48N60DM2
,MOSFET STWA48N60DM2
,MOSFET para la fuente de alimentación
MOSFET de la eficacia alta para los convertidores exigentes
48N60DM2 - MOSFET del canal N 600V con el diodo del cuerpo de la Rápido-recuperación
¿Buscando un MOSFET que puede manejar los convertidores de gran eficacia más exigentes? Parezca no más futuro que el 48N60DM2. Con su carga y tiempo bajos de la recuperación, combinados con el RDS bajo (encendido), este MOSFET es ideal para los convertidores de las topologías del puente y del defasaje de ZVS. Además de su excelente rendimiento, el 48N60DM2 también ofrece extremadamente - la carga de la puerta y la capacitancia bajas de la entrada, así como es la avalancha 100% probaron.
El más, su aspereza extremadamente alta y la Zener-protección de despegue de dv/le toman una decisión confiable y segura. Actualice su convertidor con el 48N60DM2 - la opción perfecta para la eficacia alta y la confiabilidad. Este texto es querido decir para optimizar la conversión con centrarse en las características y las ventajas de producto, mientras que usa lengua de acoplamiento para asir la atención del lector. Destacando las ventajas del producto, los clientes son más probables tomar medidas y comprar el producto.
|
Categoría de producto |
MOSFET |
|
Tecnología |
Si |
|
Montaje de estilo |
A través del agujero |
|
Paquete/caso |
TO-247-3 |
|
Polaridad del transistor |
Canal N |
|
Número de canales |
1 canal |
|
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente |
600 V |
|
Identificación - corriente continua del dren |
40 A |
|
Rds en - resistencia de la Dren-fuente |
65 mOhms |
|
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente |
- 25 V, + 25 V |
|
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente |
3 V |
|
Qg - carga de la puerta |
70 nC |
|
Temperatura de funcionamiento mínima |
- 55 C |
|
Temperatura de funcionamiento máximo |
+ 150 C |
|
Paladio - disipación de poder |
300 W |
|
Modo del canal |
Aumento |
|
Empaquetado |
Tubo |
|
Configuración |
Solo |
|
Serie |
STWA48N60DM2 |
|
Tipo del transistor |
1 canal N |
|
Tiempo de caída |
9,8 ns |
|
Tipo de producto |
MOSFET |
|
Tiempo de subida |
27 ns |
|
Subcategoría |
MOSFETs |
|
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado |
131 ns |
|
Tiempo de retraso de abertura típico |
27 ns |
|
Peso de unidad |
0,211644 onzas |