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MOSFET superficial IC, BVDSS 25V-30V DMP34M4SPS-13 del canal del soporte 135A P

Categoría:
chip CI electrónico
En existencia:
En stock
Precio:
Negotiable
Especificaciones
Tipo:
MOSFET
Tipo del paquete:
Soporte superficial
Uso:
Fines generales
Temperatura de funcionamiento:
-55°C 150°C (TJ)
Paquete/caso:
8-PowerTDFN
Tipo del FET:
P-canal
Drene al voltaje de la fuente (Vdss):
30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:
135A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:
3.8mOhm @ 20A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:
2.6V @ 250uA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
127nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:
3775pF @ 15V
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Vgs (máximo):
±25V
Resaltar:

MOSFET superficial IC del canal del soporte P

,

MOSFET IC del canal de 135A P

,

DMP34M4SPS-13

Introducción

Impulse el funcionamiento de su dispositivo con el P-canal 30V 34A 8SOP del MOSFET de DMP34M4SPS TPCA8128

Optimice su transferencia del poder y de la carga de batería del cuaderno con DMP34M4SPS-13 de calidad superior

 

Si usted está mirando para impulsar el funcionamiento de su ordenador portátil y para mejorar su vida de batería, usted necesita el MOSFET de DMP34M4SPS. Diseñado con los materiales de alta calidad, este MOSFET del P-canal con un 30V, capacidad 21A es la última solución para su dispositivo. Con funcionamiento que cambia excepcional y el RDS minimizado (ENCENDIDO), este MOSFET de DMP34M4SPS garantiza para entregar eficacia máxima cada vez que usted la utiliza. Si usted necesita manejar las cargas del poder o del interruptor de la batería de su cuaderno, este dispositivo de la top-grada conseguirá el trabajo hecho fácilmente. Opte por DMP34M4SPS-13, y haga su trabajo del ordenador portátil más elegante, no más duro.

 

 

Categoría de producto

MOSFET

Tecnología

Si

Montaje de estilo

SMD/SMT

Paquete/caso

PowerDI5060-8

Polaridad del transistor

P-canal

Número de canales

1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente

30 V

Identificación - corriente continua del dren

135 A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente

2,9 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente

25 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente

2,6 V

Qg - carga de la puerta

127 nC

Temperatura de funcionamiento mínima

- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo

+ 150 C

Paladio - disipación de poder

3W

Modo del canal

Aumento

Configuración

Solo

Tipo del transistor

1 P-canal

Tiempo de caída

160 ns

Tipo de producto

MOSFET

Tiempo de subida

4 ns

Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado

372 ns

Tiempo de retraso de abertura típico

6,9 ns

 

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Las existencias:
In Stock
Cuota de producción:
1