Ohmio 30MHz del MOSFET IC 1,4 del canal N de SVF7N65F 650V a través del agujero
MOSFET IC del canal N 650V
,MOSFET IC del canal N de 1
,4 ohmios
Introducción del transistor de alta potencia de SVF7N65F SI7N65F
Suelte el potencial verdadero de su fuente de alimentación con tecnología aumentada
Transforme su fuente de alimentación con el transistor excepcional de SVF7N65F SI7N65F, diseñado para traerle ventajas incomparables. Fabricado usando tecnología de proceso avanzada de VAMOS, este transistor viene con un diseño tira-formado de la célula que ofrezca funcionamiento que cambia superior, en-resistencia baja, y tolerancia increíble de la avería de avalancha.
Ofreciendo un 7A, 650V, RDS (encendido) y carga baja de la puerta, este transistor se jacta capacitancia reversa baja de la transferencia, velocidad rápidamente que cambia, y capacidad mejorada de dv/dt. El ideal para el uso en convertidor de la fuente de alimentación de AC-DC que cambia, de poder de DC-DC, y la impulsión de alto voltaje del motor del H-puente PWM, este producto entrega verdad. Actualice su fuente de alimentación con el transistor de SVF7N65F SI7N65F hoy y experimente el último funcionamiento.
|
Tipo diseñador |
SVF7N65F |
|
Tipo de transistor |
MOSFET |
|
Tipo de canal de control |
Canal N |
|
Disipación de poder máxima (paladio) |
46 W |
|
Voltaje máximo de la Dren-fuente |Vds| |
650 V |
|
Voltaje máximo de la Puerta-fuente |Vgs| |
30 V |
|
Corriente máxima del dren |Identificación| |
7 A |
|
Temperatura de empalme máxima (Tj) |
°C 150 |
|
Tiempo de subida (tr) |
48 nS |
|
Capacitancia de la Dren-fuente (Cd) |
98,6 PF |
|
Resistencia máxima del En-estado de la Dren-fuente (Rds) |
1,4 ohmios |
|
Paquete |
TO220F |