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Chip CI de la fuente de alimentación del MOSFET TPHR8504, fuente de alimentación TPHR8504PL del canal N de 40 voltios

Categoría:
chip CI electrónico
En existencia:
En stock
Precio:
Negotiable
Especificaciones
Tipo:
MOSFET
Tipo del paquete:
Soporte superficial
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
40V
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
150A
Poder - máximo:
170W
Temperatura de funcionamiento:
-55 a +175 C
Paquete/caso:
SOP-8
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:
850 uOhms
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:
1,4 V
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
103 nC
Resaltar:

Chip CI de la fuente de alimentación MOSFET

,

Chip CI de la fuente de alimentación TPHR8504

,

TPHR8504PL

Introducción

Impulse su funcionamiento de los convertidores de DC-DC con el FET del canal N del MOSFET TPHR8504PL 40V de la fuente de alimentación de Bitmain

Descubra el ideal de gran eficacia del MOSFET para la amplia gama de usos

 

Actualice su funcionamiento del convertidor de DC-DC con el FET del canal N del MOSFET TPHR8504PL 40V de la fuente de alimentación de Bitmain. Este MOSFET del canal N del silicio con la última tecnología asegura la capacidad que cambia de alta velocidad, tomándole una gran decisión para los diversos usos. Ofrece la pequeña carga de la puerta y la corriente baja de la salida permitiendo que actúe eficientemente y confiablemente. Usted puede confiar en este MOSFET para trabajar sin defectos dentro de una gama de temperaturas ancha - de 55°C a 175°C (TJ), garantizando rendimiento excepcional en ambientes diversos. Ahora consiga el suyo, y experimente una mejora en la salida de su convertidor de DC-DC.

 

 

Categoría de producto

MOSFET

Tecnología

Si

Montaje de estilo

SMD/SMT

Paquete/caso

SOP-8

Polaridad del transistor

Canal N

Número de canales

1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente

40 V

Identificación - corriente continua del dren

150 A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente

850 uOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente

- 20 V, + 20 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente

1,4 V

Qg - carga de la puerta

103 nC

Temperatura de funcionamiento mínima

- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo

+ 175 C

Paladio - disipación de poder

170 W

Modo del canal

Aumento

Configuración

Solo

Altura

0,95 milímetros

Longitud

5 milímetros

Serie

U-MOSIX-H

Tipo del transistor

1 canal N

Anchura

5 milímetros

Tiempo de caída

14 ns

Tipo de producto

MOSFET

Tiempo de subida

13 ns

Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado

63 ns

Tiempo de retraso de abertura típico

26 ns

Peso de unidad

0,002926 onzas

 

 

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Las existencias:
In Stock
Cuota de producción:
1