En MOSFET IC del canal N del transistor de poder del agujero GP60S50X TO-247
Categoría:
chip CI electrónico
En existencia:
En stock
Precio:
Negotiable
Especificaciones
Tipo:
MOSFET
Tipo del paquete:
En el agujero
Resaltar:
En el transistor de poder del agujero
,GP60S50X
,MOSFET IC del canal N de GP60S50X
Introducción
Transistor de alta potencia para los usos de la electrónica
Descubra de GP60S50X el paquete MOSFET, TO-247, la corriente 50A y el voltaje 600V
El MOSFET de GP60S50X es un producto imprescindible para los usos de alta potencia de la electrónica. Este transistor de poder del canal N puede soportar hasta 600V, con una capacidad actual de 50A, tomándole una decisión ideal para los proyectos exigentes que requieren componentes de alto rendimiento. Diseñado con un paquete TO-247, este MOSFET es confiable y fácil de utilizar, cabiendo inconsútil en diseños existentes. Si usted quiere llevar sus proyectos el nivel siguiente, el MOSFET de GP60S50X es la opción perfecta. Consiga el suyo hoy y rendimiento excepcional de la experiencia, confiabilidad, y flexibilidad.
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Categoría de producto |
Transistor de poder |
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MOSFET |
Canal N |
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Número de parte |
GP60S50X |
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Paquete |
TO-247 |
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Condición |
A estrenar |
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción:
1