microprocesador del reemplazo del CANAL N 60V 115mA del MOSFET de 2N7002 2N7002-7-F
Actualice su Hashboard con MOSFET 2N7002
MOSFET económico de energía de SMD para el funcionamiento mejorado de Hashboard
Mejore el funcionamiento de su Hashboard con el MOSFET 2N7002, diseñado especialmente para aumentar la función de los usos 3.3V. Con una puerta baja al voltaje del umbral de la fuente de 2.1V, este MOSFET es perfecto para los usos de la gestión del poder, permitiéndole guardar el cambiar de punto bajo del uso del alto y de la energía del funcionamiento. Su resistencia baja del en-estado se asegura de que siga siendo económica de energía mientras que está prendido.
El más, su versión de SMD es increíblemente conveniente para los pequeños usos, con el potencial para aguantar la corriente continua 200mA y los picos 1A con el umbral máximo del voltaje. ¿Tan por qué espera? ¡Actualice su Hashboard hoy y eleve su experiencia minera con el MOSFET 2N7002!
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Categoría de producto |
MOSFET |
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Tecnología |
Si |
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Montaje de estilo |
SMD/SMT |
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Paquete/caso |
SOT-23-3 |
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Polaridad del transistor |
Canal N |
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Número de canales |
1 canal |
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Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente |
60 V |
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Identificación - corriente continua del dren |
115 mA |
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Rds en - resistencia de la Dren-fuente |
1,2 ohmios |
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Vgs - voltaje de la Puerta-fuente |
- 20 V, + 20 V |
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Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente |
1 V |
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Qg - carga de la puerta |
- |
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Temperatura de funcionamiento mínima |
- 55 C |
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Temperatura de funcionamiento máximo |
+ 150 C |
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Paladio - disipación de poder |
200 mW |
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Modo del canal |
Aumento |
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Configuración |
Solo |
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Altura |
1,2 milímetros |
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Longitud |
2,9 milímetros |
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Producto |
Pequeña señal del MOSFET |
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Serie |
2N7002 |
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Tipo del transistor |
1 canal N |
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Anchura |
1,3 milímetros |
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Transconductancia delantera - minuto |
0,08 S |
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Tipo de producto |
MOSFET |
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Parte # alias |
2N7002_NL |
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Peso de unidad |
0,000282 onzas |