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MOSFET 600V 61.8A 400W del canal N de TK62N60W K62N60W a través del reemplazo de unidad de la fuente de alimentación del agujero TO-247 IC

Categoría:
chip CI electrónico
En existencia:
En stock
Precio:
negotiable
Especificaciones
Tipo:
MOSFET
Temperatura de funcionamiento:
-45 a +140
Montaje del tipo:
A través del agujero
Paquete/caso:
TO-247
Tipo del FET:
Canal N
Característica del FET:
Empalme estupendo
Drene al voltaje de la fuente (Vdss):
600 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:
61.8A (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:
40mOhm @ 30.9A 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:
3.7V @ 3.1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
180 nC @ 10 V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:
6500 PF @ 300 V
Introducción

Actualice a su minero de ASIC con un FET original de Toshiba K62N60W

El de alto voltaje, solución del Alto-amperaje para su minero Control Board

 

¿Mirada para fijar a su tablero de control del minero de ASIC? El MOSFET del reemplazo de la fuente de alimentación K62N60W de Bitmain de Toshiba original es la solución perfecta. Con sus capacidades de alto voltaje y del alto-amperaje, este FET puede manejar comfortablemente corrientes hasta de 600V y de 62A, haciéndole una opción confiable y segura para sus reparaciones. Este transistor es RoHS obediente, haciéndole una solución sostenible para todas sus necesidades de la reparación.

 

Su flexibilidad es incomparable, pues es de uso general en el equipo de comunicación, redes atadas con alambre, EPOS, ordenadores personales, y ordenadores portátiles. Con una gama de temperaturas amplia de -40°C a 105°C, el transistor se construye para durar, haciéndole una solución confiable y rentable. Y los gracias a su TO-247 paquete, es compacto y fácil dirigir. Actualice a su minero de ASIC hoy con un FET original de Toshiba K62N60W, y disfrute del funcionamiento y de la confiabilidad incomparables.

 

 

Categoría

Productos de semiconductor discretos

Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Paquete

Tubo

Situación de la parte

Activo

Tipo del FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (óxido de metal)

Drene al voltaje de la fuente (Vdss)

600 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C

61.8A (TA)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs

40mOhm @ 30.9A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @

3.7V @ 3.1mA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs

180 nC @ 10 V

Vgs (máximo)

±30V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds

6500 PF @ 300 V

Característica del FET

Empalme estupendo

Disipación de poder (máxima)

400W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Montaje del tipo

A través del agujero

Paquete del dispositivo del proveedor

TO-247

Paquete/caso

TO-247-3

Número bajo del producto

TK62N60

Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción:
1